Одиночные кристаллы In2Se3 выращивали с помощью физического транспорта пара (PVT), а также метода Бриджмана. В отличие от других In2Se3, фаза этого продукта тщательно контролируется после тщательных этапов очистки синтеза, и лушки являются высококристаллическими. Альфафаза является самой стабильной формой In2Se3, что делает ее идеальной для 2D исследований. Лески идеально слоевы, плоскостные листы идеально выравниваются в направлении (002), как это определено XRD и 4-угольными XRD (качальными кривыми). В основном кристаллы демонстрируют разрыв диапазона 1,41 eV и демонстрируют сильные пики Рамана.

Свойства слоевых кристаллов In2Se3