Наши кристаллы MoSe2 выращиваются с помощью двух различных методов с помощью химического транспорта пара (CVT) или роста зоны потока (см. описание этих двух методов ниже). Эти кристаллы рассматриваются как золотые стандарты в области 2D материалов из-за совершенного оптического и электронного поведения. Наши кристаллы MoSe2, как известно, обладают чрезвычайно узкими пропускными способностями PL, отображают чистые PL-спектры, не связывают плечи экзитонов при низких температурах, высокой мобильностью носителя, чрезвычайно чистыми и острыми пиками XRD и незначительным количеством дефектов (см. опубликованные результаты, а также методы CVT против Flux ниже). Это единственные коммерчески доступные кристаллы MoSe2 с гарантированным валейтронным откликом, острым PL и хорошим электронным откликом.

Свойства однокристаллического vdW MoSe2

Метод роста имеет значение> Зона потока или метод роста CVT? Загрязнение галогенидов и точечные дефекты в слоевых кристаллах являются хорошо известной причиной их сниженной электронной мобильности, сниженной анизотропной реакции, плохой рекомбинации e-h, низкой эмиссии PL и меньшей оптической поглощенности. Техника зоны потока - это метод без галогенов, используемый для синтеза действительно полупроводниковых кристаллов vdW. Этот метод отличается от метода химического паропередачи (CVT) следующим образом: CVT является быстрым (~2 недели) методом роста, но демонстрирует плохое кристаллическое качество, а концентрация дефекта достигает диапазона от 1E11 до 1E12 см-2. В отличие от этого, метод потока занимает длительное (~3 месяца) время роста, но обеспечивает медленную кристаллизацию для идеальной атомной структуры и рост кристалла без примесей с концентрацией дефектов настолько низкой, как 1E9 - 1E10 см-2. Во время проверки просто укажите, какой тип процесса роста предпочтительнее. Если не указано иное, 2Dsemiconductors отправляет кристаллы зоны потока в качестве выбора по умолчанию.

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR18/Session/K36.3

http://meetings.aps.org/Meeting/MAR17/Session/V1.14

Публикации из этого продукта

Резюме: Публикации из команд MIT, Беркли, Стэнфорда, Райса и Гарварда в ведущих журналах, таких как Nature, Nature Communications, Nano Letters и Advanced Materials

Контроль согласованности долины Экситона в переходных металлических дихалкогенидных монослоях. Преподобный Летт. 117, 187401 (2016)

Измерение оптической диэлектрической функции однослойных дикалкогенидов переходных металлов: MoS2, MoSe2, WS2 и WSe2, Yilei Li, Alexey Chernikov, Xian Zhang, Albert Rigosi, Heather M. Hill, Arend M. van der Zande, Daniel A. Chenet, En-Min Shih, James Hone, and Tony F. Heinz; Фис. Rev. B 90, 205422 (2014 год)

Y. Jin 'A Van Der Waals Homojunction: Ideal p–n Diode Behavior in MoSe2' Advanced Materials 27, 5534–5540 (2015)

Tongay et. al. 'Дефекты активированной фотолюминесценции в двухмерных полупроводниках: взаимодействие между связанными, заряженными и свободными экзитонами' Научные отчеты 3, Статья №: 2657 (2013)

М. Янковиц и др. 'Внутреннее расстройство в графене на переходных металлических дихалкогенидных гетероструктурах' Nano Letters, 2015, 15 (3), pp 1925–1929

Тонгай и др. Термический переход от косвенного к прямому диапазону в 2D полупроводниках: MoSe2 против MoS2; Nano Letters, 2012, 12 (11), стр. 5576–5580

Manish Chhowalla, 'Двумерные полупроводники для транзисторов' Nature Reviews Materials 1, Номер статьи: 16052 (2016) doi:10.1038/natrevmats.2016.52

X Li et al. 'Определение количества слоев двухмерных люсков дихалкогенидов переходных металлов интенсивностью Рамана из субстратов' Нанотехнология 27 (2016) 145704

Л. Чжан. et.al. 'Фотонно-кристаллические экситон-поляритоны в однослойных полупроводниках' Nature Communications том 9, номер статьи: 713 (2018)